半導(dǎo)體丨臺(tái)積電2023年資本支出有望達(dá)到400億美元再創(chuàng)新高
2023-01-03 13:38:18
據(jù)臺(tái)灣地區(qū)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，供應(yīng)鏈傳出，臺(tái)積電因應(yīng)未來(lái)三年成長(zhǎng)所需，在先進(jìn)制程臺(tái)灣擴(kuò)產(chǎn)與投資研發(fā)、美日海外擴(kuò)產(chǎn)、成熟制程升級(jí)等三大因素驅(qū)動(dòng)下，今年資本支出有望逼近400億美元，再創(chuàng)新高，換算年增5.6%起跳，不受半導(dǎo)體市場(chǎng)短線(xiàn)庫(kù)存調(diào)整影響。
臺(tái)積電一向不評(píng)論市場(chǎng)數(shù)據(jù)，公司預(yù)計(jì)1月12日召開(kāi)法說(shuō)會(huì)，屆時(shí)有望釋出最新資本支出計(jì)劃。
法人透露，臺(tái)積電日前在美國(guó)加州舉辦睽違四年的實(shí)體投資人日活動(dòng)時(shí)，釋出在臺(tái)灣持續(xù)擴(kuò)充先進(jìn)制程，已啟動(dòng)2納米與1納米投資規(guī)劃的大方向，美國(guó)、日本等地新廠2024年產(chǎn)能也將逐步開(kāi)出，預(yù)估2027年左右，海外產(chǎn)能將達(dá)總產(chǎn)能二成。
為了實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健成長(zhǎng)目標(biāo)，供應(yīng)鏈傳出，臺(tái)積電在2022年資本支出計(jì)劃360億美元之后，2023年資本支出有望逼近400億美元，估介于380億至390億美元，換算年增5.6%起跳。
業(yè)界人士指出，臺(tái)積電3納米如期在2022年量產(chǎn)，考量3納米部分機(jī)臺(tái)可和5納米靈活調(diào)整與共享，估計(jì)部分設(shè)備采購(gòu)可彈性控管，會(huì)把更多投資放在更復(fù)雜的環(huán)繞式閘極（GAA）架構(gòu)2納米與后續(xù)1納米制程研發(fā)。
此外，三星晶圓代工事業(yè)單位為了追趕臺(tái)積電，在存儲(chǔ)器市況不佳之際傾注資本支出在晶圓代工業(yè)務(wù)，業(yè)界估三星晶圓代工事業(yè)今年資本支出至少200億美元起跳，年增超過(guò)一成，臺(tái)積電為維持技術(shù)領(lǐng)先及客戶(hù)中長(zhǎng)期結(jié)構(gòu)成長(zhǎng)所需，初步看來(lái)沒(méi)必要因短期庫(kù)存調(diào)整就在投資上踩煞車(chē)。
